Siliziumkarbid-Wechselrichter (SiC)
Ein Siliziumkarbid-Wechselrichter (SiC-Wechselrichter) ist ein Traktionswechselrichter, der Siliziumkarbid-Halbleiterschalter, meist SiC-MOSFETs, anstelle von oder zusammen mit herkömmlichen Siliziumbauteilen verwendet.
Was SiC verändert
SiC-Schalter können in geeigneten Betriebsbereichen Schalt- und Leitverluste verringern. Ihr schnelleres Schalten kann außerdem eine höhere Schaltfrequenz, kleinere passive Bauteile oder einen geringeren Kühlbedarf für ein bestimmtes Auslegungsziel ermöglichen.
SiC beschreibt weder die vollständige Architektur noch Spannung, Regelstrategie oder Wirkungsgradkennfeld des Wechselrichters. Das Ergebnis hängt weiterhin von Bauteilgröße, Gate-Ansteuerung, Schaltfrequenz, Strom, Temperatur, Kühlung, Aufbau und Motorbetriebspunkt ab. Schnellere Spannungsflanken können zudem die Anforderungen an elektromagnetische Verträglichkeit, Isolation, Gleichtaktspannung und Lagerströme erhöhen.
Den vollständigen Zusammenhang des Traktionswechselrichters und den Vergleich mit Silizium-IGBTs erläutert Traction Inverters in Electric Vehicles.